2022年(nián)的(de)電(diàn)♥‌子(zǐ)産業(yè)：五大(dà)趨勢預測

走過飽經波折的(de)2021年(nián)之後，整個(gè)電(diàn)子(zǐ)産業(y'<πè)正式邁進了(le)2022年(nián)♠¥。雖然很(hěn)多(duō)分(fēn)析人(rén)士表示，電(d★★₹ iàn)子(zǐ)産業(yè)過去(qù)兩年(nián)正在遭受的(de)芯片缺貨在今≥₽​年(nián)上(shàng)半年(nián)還(hái)将持續，但(dàn)§ε在産業(yè)鏈的(de)同心協力下(xià)，這(zhè)個(♥<≠gè)态勢會(huì)在下(xià)半年(nián)得(de)到(dàoα✘λ)緩解。同時(shí)，因為(wèi)終端和(hé)上(shàng)遊¥€正在全力推動科(kē)技(jì)産業(yè)的(de)新變革 ±↑，這(zhè)就(jiù)使得(de)整個(gè)電(diàn)子(zǐ)産業(≠​yè)自(zì)上(shàng)而下(xià)正在醞釀一(yī)波又(y‌↕±✔òu)一(yī)波的(de)新機(jī)遇。在筆(bǐ)者看(≥ ‌→kàn)來(lái)，這(zhè)個(gè)百花(h♦÷uā)争豔的(de)時(shí)代擁有(yǒu)下(xià)述幾個(gè)明(míng'<®✔)顯的(de)特點。它們将在2022年(nián)持續影(yǐng)響電(diàn)子(zǐ) •Ω産業(yè)，并将繼續在未來(lái)的₩×(de)電(diàn)子(zǐ)世界中扮演關鍵角色。

趨勢一(yī)：第三代半導體(tǐ)持續發力

因為(wèi)擁有(yǒu)高(gāo)遷移率、高(gāo€•✘)帶隙等優勢，以氮化(huà)镓和(hé)碳化(hu≤☆♦®à)矽為(wèi)代表的(de)第三代半導™±​♥體(tǐ)在過去(qù)幾年(nián)裡(lǐ)迸發出了(le)強大(dà)的(de)動¶÷¶α能(néng)。

據集邦咨詢統計(jì)，因疫情趨緩所帶動5G基站(zhàn)射頻(pín)前端、手機(jī)充電(diàn&¥)器(qì)及車(chē)用(yòng)能(néng)源傳輸等需求逐步提升，預γε期2021年(nián)通(tōng)訊及功率器(qì)件(jiàn)營收分(fβ↓‍✘ēn)别為(wèi)6.8億和(hé)6,100萬美(měi)元，年(nián≈•)增30.8%及90.6%。來(lái)到(dào)SiC器(qì)件(jiàn)部分(fē₽≤"₽n)，集邦咨詢進一(yī)步指出，由于通(tōng)訊及功率領域皆需使用(yòng)該∞↑襯底，因而6英寸晶圓的(de)供應量顯得(de)吃(chī)¶α∏緊，預估2021年(nián)SiC器(qì)件(jiàn)♠σ•于功率領域營收可(kě)達6.8億美(měi)元，年(£‍< nián)增32%。

從(cóng)産業(yè)發展的(de)動力看(kàn)來(lái)，這(zhè¶☆♣♥)僅僅是(shì)第三代半導體(tǐ)的(de)一(yī)個(gè)開(kāi)始。以PD快(kuài)充為(wèi)例，因為(wèi)氮化(huà)镓的(de)獨特優勢，從(cón☆ ∏g)智能(néng)手機(jī)開(kāi)始，越來(lái)越多(duō∏®₩)的(de)電(diàn)子(zǐ)設備開(kāi)始<"♠÷轉向氮化(huà)镓器(qì)件(jiàn)以打造适用(yòng)的(de)PD快€☆<(kuài)充解決方案。此外(wài)。包括5G基站(zhàn)和≈Ω(hé)服務器(qì)電(diàn)源等在內(nèi)的(de)應用(yòng)場≥∏(chǎng)景為(wèi)了(le)更節能(néng)，也(yě)≠•✔都(dōu)開(kāi)始在電(diàn)源部分(fēn)選用(yòng)氮化≈γ ←(huà)镓器(qì)件(jiàn)。這(zhè)也(yě)是(shì)全球電(diàn) ✔子(zǐ)産業(yè)的(de)又(yòu)一(yī)個(gè)風(fēng)口，由此↕∞ε帶來(lái)的(de)機(jī)遇也(yě)可(kě)想而知(zh≈↑>ī)。

為(wèi)此，集邦咨詢表示，全球GaN功率市(shì)場(chǎng)規模将從(cóng¥✔₽)2020年(nián)的(de)4800萬美(měi)元增長(cháng)到(dào)20↓♣25年(nián)的(de)13.2億美(měi)元，年(nián)增長(cháng§±&)率高(gāo)達94%。

除了(le)消費(fèi)電(diàn)子(zǐ)外(wài)，很(hěn)大(dà)應用(yònβ'g)的(de)産品主要(yào)在新能(néng)源汽車(chē)、電(diàn)信​β以及數(shù)據中心。預計(jì)近(jìn)兩年(nián)→εGaN将小(xiǎo)批量滲透到(dào)低♠Ω(dī)功率OBC、DC-DC中。

至于SiC，則機(jī)會(huì)更是(shì)明('₩¥míng)顯。從(cóng)特斯拉在model 3​←★<上(shàng)采用(yòng)SiC器(qì)件(jiàn)并取得(de)了(le)巨大®δ≥(dà)成功後，幾乎整個(gè)電(diàn)動汽車(chē)産業★♥(yè)都(dōu)把目光(guāng)投<β向了(le)這(zhè)類新産品。考慮到(dào)全球發展電(diàn)動汽車(chē)成為(λ®★→wèi)必然趨勢，這(zhè)也(yě)×"​£讓SiC成為(wèi)了(le)兵(bīng)家(jiā)必争之地(dì)。

集邦咨詢預測，全球SiC功率器(qì)件(jiàn)市(shì)場(chǎng)規模将從(cóng)2020®≠→年(nián)的(de)6.8億美(měi)元增長(chán∑≠≈&g)至2025年(nián)的(de)33.9億美(měi)元，年(ni↑♣•án)複合增長(cháng)率将達38%→¥÷≈，其中新能(néng)源汽車(chē)的(de)主逆變器(qì)£♥✘™、OBC（車(chē)載充電(diàn)器(qì)）、DC-DCΩ₹↓（電(diàn)源模塊）将成為(wèi)主要(yào)驅動力。他(tā)們甚至指出，202£Ω∞5年(nián)全球電(diàn)動車(chē)市(shì)場(chǎng)對<££‌(duì)6英寸SiC晶圓需求可(kě)達1>₩♠69萬片，其中絕大(dà)部分(fēn)将用(yòng)¥δ于主逆變器(qì)。

趨勢二：汽車(chē)芯片再接再厲

過去(qù)一(yī)年(nián)多(duō)裡(lǐ)，​™沒有(yǒu)任何一(yī)個(gè)芯片類型有(yǒu)汽車(chē)芯片那∑§&(nà)麽“火(huǒ)”。這(zhè)一(yī)方面與汽車(chē)芯片供應鏈本身(β¶∏$shēn)的(de)特色有(yǒu)關——突如(rú)其來(lái)♣€的(de)疫情、汽車(chē)芯片的(de)®ε零備貨加上(shàng)車(chē)廠(≠•§×chǎng)的(de)誤判，讓整個(gè)汽車(chē)産業(yè)度™β®過了(le)“痛苦”的(de)一(yī)年(nián)±& ；另一(yī)方面，現(xiàn)在汽車(chē)正在往電(diàn£↓)動化(huà)、網聯化(huà)和(hé)智能(néng)化(h€ £uà)發展，這(zhè)又(yòu)帶來(lái)更多(duō)的(de)汽車(chē)芯片需求©π 。

在這(zhè)雙重因素影(yǐng)響下(xià)，≈©汽車(chē)芯片的(de)緊張供應局面顯而易見(jiàn)。

但(dàn)自(zì)去(qù)年(nián)下(xià)半年∞™(nián)以來(lái)，汽車(chē)芯片各個(gè)環節都(dōu)在做(zuò)出了(le♦"¥γ)相(xiàng)應改變。尤其是(shì)δΩ晶圓廠(chǎng)産能(néng)的(de)傾斜，就(jiù)讓汽車(chē)半導體(tǐ÷‌←←)看(kàn)到(dào)了(le)一(yī)縷曙光( ✘₽φguāng)。為(wèi)此很(hěn)多(duō)廠(chǎng)商預測，進入2022年(nián)下(xià)半年(nián)，汽車(chē)芯片短(duǎ ©€‌n)缺現(xiàn)象會(huì)緩解。

然而，在經曆了(le)這(zhè)次可(kěπ≤)怕的(de)“芯慌”，疊加現(xiàn)在汽車(chē)産業(yè)正在發生(shēng)•& 的(de)新趨勢，我們認為(wèi)2020年(nián)的(de)汽>¥¶±車(chē)電(diàn)子(zǐ)會(huì)發生(shēng)幾點明≈®(míng)顯的(de)轉變:

首先，大(dà)算(suàn)力芯片逐漸成為(wèi)汽車(chē)電(↔β§✔diàn)子(zǐ)的(de)關注點，其中座艙電(dià§↓n)子(zǐ)和(hé)自(zì)動駕駛芯片是(shì)典型範例。

在過去(qù)的(de)傳統汽車(chē)裡(lǐ)，無論是(shì)功能(néng)還(háiε↔♥)是(shì)性能(néng)都(dōu)是(shì)相(xiàng)對(duì)保守，這(zh♣​'πè)一(yī)方面是(shì)除了(le)大(dà)家(jiā)保守，為(wèi)了(le)穩定 不(bù)出錯(cuò)；另一(yī)方面是(shì)過去(π∏≥qù)的(de)汽車(chē)系統并不(bù)能(néng)讓這(z✘φ hè)些(xiē)新功能(néng)能(néng)夠如(rú)願以償₩™λ。但(dàn)随著(zhe)汽車(chē)新勢力的(de)>>✔∑殺入，新能(néng)源汽車(chē)的(de)興起，娛樂(yuè)化(huà)成為(w≈∏≈×èi)了(le)汽車(chē)的(de)一(yī)大(dà)賣點，自(zì)≥φ↓動駕駛也(yě)成為(wèi)全球的(de)目标，于是(shì)以這(zhè)兩條賽‌¶¥‍道(dào)為(wèi)代表的(de)汽車(chē)“大(dà)芯片”正在迅速崛起。此≈εΩ外(wài)，汽車(chē)控制(zhì)架構正在從(cóng)過往的(de)分(f ​ēn)布式，到(dào)域處理(lǐ)器(qì)，再到(dào)中央處理(lǐ)的(de)≈ 方向演進，這(zhè)帶來(lái)的(de)汽車(♠₽chē)電(diàn)子(zǐ)機(jī)會(huì)可(kě)想而知(‌♦<>zhī)。

其次，汽車(chē)廠(chǎng)商自(zì)研芯片成定局。

為(wèi)了(le)個(gè)性化(huà)和(hé)差σλ∑異性目标，自(zì)研芯片的(de)這(zhè)股東(dōng)風(fēng)正在由消費♥≠‍(fèi)電(diàn)子(zǐ)吹向汽車(chē)産業(yèπ♥§)，其中國(guó)內(nèi)的(de)比亞迪以及國(guó)外 ∏÷(wài)的(de)特斯拉已經在這(zhè)方面走得(de)比較前，而吉利、東(dōng)風↑→π(fēng)和(hé)廣汽等企業(yè)也(yě)通(tōng)≠>‌γ過投資和(hé)合資等方式進入了(le)這(zhè)個(gè)賽道(dào) ∞₩，包括福特、通(tōng)用(yòng)和(hé)現↕<≤(xiàn)代等廠(chǎng)商也(yě)宣布了(le)相(xiàn☆↓∞→g)關決定。而這(zhè)也(yě)是(shì)一(yī)個(gè)值得(Ω↓λde)持續關注的(de)點。

第三，功率器(qì)件(jiàn)、激光(guāng)雷達以及各種傳感器♣β (qì)産品在汽車(chē)中的(de)重要(yào)性與日(rì)俱增。這(zhè)是(shì)"¶新能(néng)源汽車(chē)和(hé)智能(néng)化(huà)汽車(chē)發展的(d≥εe)必然結果。

趨勢三：SiP等先進封裝漸成主流

為(wèi)了(le)迎接5G、可(kě)穿戴等應用(yòng)帶來(lái)∞∞♠¥的(de)挑戰，應對(duì)摩爾定律放(fàng)緩和(hé)電(diàn)♣ π 子(zǐ)設備小(xiǎo)型化(huà)的(de)趨勢，SiP等先進封裝正在逐漸成為(wèi)↑♣産業(yè)界的(de)主流，這(zhè)在20←←↔<22年(nián)會(huì)繼續加速。

據知(zhī)名分(fēn)析機(jī)構Yole的(de)數(shù)據顯示，在2020年(nián)到(dào)2026年(nián)年←≤₹(nián)間(jiān)，基于覆晶(FC)和(hé)打線接合(WB)的(de)系統級封裝("¶λSystem-in-Package；SiP)市(shì)場(chǎng)将以5 ★→‌%的(de)CAGR成長(cháng)至170 億美(mě γi)元的(de)規模。同期，嵌入式芯片(Embedded D γ∞∏ie，ED) SiP市(shì)場(chǎng)則将以25%的(de)CAG♠σR 增加到(dào)1.89億美(měi)元≠&；扇出型(FO) SiP市(shì)場(chǎng)價值預計(jì)以6%γ™$的(de)CAGR20-26成長(chángδ<¶)至16億美(měi)元。

Yole進一(yī)步指出，可(kě)穿戴設備成為(wèi) SiP 的(de)一(yī)大( ‍$‍dà)推動力。Yole 的(de)報(bào)告則指出，頭戴式/耳戴式産品是(β ©§shì)可(kě)穿戴設備市(shì)場(chǎng)中大(dà)的(de)細分(fēn)市π ↑™(shì)場(chǎng)，其次是(shì)腕戴式産品、身(÷  $shēn)體(tǐ)佩戴式産品和(hé)智 α¶能(néng)服裝；扇出SiP的(de)關鍵應φ"•用(yòng)将仍然是(shì)移動和(hé)消費(fèi)類。數(shù)據₹γ↑∞中心，5G和(hé)自(zì)動駕駛汽車(chē)的(de)趨勢επ≠将推動在電(diàn)信，基礎設施和(hé)汽車(chē)應用(•≤φ♥yòng)中采用(yòng)扇出SiP；至于ED技(jì)術(shù)，正在±©↔≠從(cóng)單個(gè)嵌入式芯片轉變為(wèi)多(duō)個(gè)嵌入式芯片。IC基闆和δ©(hé)電(diàn)路(lù)闆的(de)複雜(zá)性和(hé)尺寸将增加，因此某些(xiē∏→​)市(shì)場(chǎng)中某些(xiē€☆✔✘)應用(yòng)的(de)ASP将受到(dào)歡迎。

在這(zhè)個(gè)機(jī)會(huì)面前，除了(le)傳統封裝廠(chǎng>≠)OSAT持續投資外(wài)，包括IDM和(hé)晶圓代工(gōng)廠(chǎng)都↕< (dōu)加大(dà)了(le)在這(zhè)方面的(de♣§)投入，這(zhè)一(yī)個(gè)會(huì)給相(xiàng)應廠(♣₩chǎng)商帶來(lái)了(le)巨大(dà)的(de)機(j✘÷÷ī)遇。

趨勢四：“5G+”帶來(lái)的(de)“芯”機(jī)€ 會(huì)

如(rú)果要(yào)挑選2021年(nián)的(de)電(diàn)子(zǐ)行(xíng)業(yè)關鍵字，“5G”必§★須依然值得(de)擁有(yǒu)一(yī)席之地•>(dì)。

根據國(guó)際電(diàn)信聯盟（ITU）的(de)定義，5G擁有(yǒu)三δ‍大(dà)類應用(yòng)場(chǎng)景，即增強移動寬帶（e™÷∏MBB）、超高(gāo)可(kě)靠低(dī)時(shí)延₽₩←通(tōng)信(uRLLC)和(hé)海(hǎi)量機( $​∏jī)器(qì)類通(tōng)信(mMTC)。在早些(•←¥xiē)年(nián)，5G已經在增強移動 ≠"ε寬帶（eMBB）市(shì)場(chǎng)展現(xiàn)✘σ了(le)其魅力。

但(dàn)在rel 16定稿了(le)以後，5G将從(cóng)2020年(niá≤®Ω←n)開(kāi)始加速從(cóng)智能(néng)設備走向千行(x∞↕íng)百業(yè)的(de)新裡(lǐ)程，給工(gōng)業(yè)$π✔、物(wù)聯網和(hé)汽車(chē)帶來(lái)了(le)無限可(kě)能(né€∏✘ng)。如(rú)過去(qù)一(yī)年(ni₹φ✘♦án)火(huǒ)爆的(de)“元宇宙”，就(jiù)是(shì)5G•©≈一(yī)展所長(cháng)的(de)新舞(wǔ)台。

所謂元宇宙，并不(bù)是(shì)一(yī)種技(jì)術(shù)，而是(shì)一(yī)α∑個(gè)理(lǐ)念和(hé)概念，它需要(yào)整合不(bù)同的(de)新技±✘↕(jì)術(shù)，如(rú)5G、6G、人(rén)工(gōng)智能(néng)、大(dà)數(shù)據等，強調‍↓•虛實相(xiàng)融。而從(cóng)相(xiàng∑λ∞ )關分(fēn)析可(kě)以看(kàn)到(dào)，元宇宙的(d←¥↔e)到(dào)來(lái)，将推動AR/VR、無線©★✘×和(hé)傳感的(de)需求，這(zhè)必然會(↑ ©$huì)給相(xiàng)關參與者帶來(l★αái)的(de)新機(jī)遇。

除了(le)元宇宙，8K也(yě)是(shì)5G熱(rè)潮下(∑ xià)的(de)另一(yī)個(gè)“熱(rè)點”。因為(wèi)有(yǒu)了(↕←le)如(rú)此高(gāo)的(de)帶寬，才能(nén∞×∞®g)使得(de)傳輸這(zhè)麽高(gāo)比特率‍∞的(de)數(shù)據成為(wèi)可(kě)能(néng)。而作(zuò)為(wè↔¥•≥i)5G下(xià)一(yī)階段的(d¶←≥δe)主要(yào)內(nèi)容，海(hǎi)量機(jī)器(qì)類通(tō‍♣≠ng)信(mMTC)也(yě)必将從(cóng)今年(ni♥"án)開(kāi)始發力，随之而來(lái)的(de)無線模組，傳感器(qì)需求也(y‍§ě)是(shì)顯而易見(jiàn)。廠(chǎng ↓)商需要(yào)為(wèi)此做(zuò)好(hǎo)準備。

趨勢五：供應鏈國(guó)産化(huà)成為ε£★±(wèi)必然趨勢

站(zhàn)在2022年(nián)年(nián)初，我們談供應鏈國(guó)産化(huà)，并不(bù φ)僅僅局限于中國(guó)大(dà)陸。因為('∑wèi)這(zhè)是(shì)一(yī)個(gè)全球正¶∏在發生(shēng)的(de)事(shì)情。無論是(shì)美(měi)國♣‌≠♥(guó)、歐洲、日(rì)本還(hái)是(shì)韓國(guó)，都 ♠€(dōu)在探索這(zhè)個(gè)可(kě)能(néng)。但(dàn)具體(tǐ)¶≤到(dào)我國(guó)來(lái)說(shuō)，則有(yǒu)更重‌↑Ω<大(dà)的(de)意義。因為(wèi)我們不(bù)但(dàn)擁有(yǒu)全©δ 球大(dà)的(de)終端市(shì)場(chǎng)，我們還(hái)生(shē ∏ng)産了(le)全球大(dà)多(duō)數(shù)的(de)電(diàn)子(zǐ)産品>'。這(zhè)個(gè)轉變給國(guó)內(nèi)企業(y<≠è)帶來(lái)的(de)機(jī)遇是(shì)其他(tā)地(dì)方所不(bù)能(Ω∞∞★néng)比拟的(de)。

随著(zhe)國(guó)際上(shàng)地(dì)緣政治的(♠∏≈de)發展和(hé)我國(guó)的(de)發展需求，這(zhè)也(yě£‌)是(shì)今年(nián)的(de)又(yòu)一(yī)個(gè)₽✔∞​關注點。而為(wèi)了(le)實現(xiàn)這(zh•↑<è)個(gè)目标，我們勢必會(huì)加大(d λ€∞à)在如(rú)RISC-V架構、GPU、EDA和(hé)高(gāo)性能(né♦≠¶∏ng)芯片甚至制(zhì)造等多(duō)個(gè)領域的(d↕ε∞e)投入。

首先看(kàn)RISC-V，作(zuò)為(wèi)一(yī)個(gè)面世超過十年(nián)，以開(kāγ≥≠εi)源著稱的(de)架構，RISC-V在過去(q→↓±£ù)兩年(nián)裡(lǐ)高(gāo)速發展，尤其是(shì)在國(guó)內(nèi)，∞→‌§無論是(shì)IP、芯片還(hái)是(shì)應用©←↓‌(yòng)，RISC-V在國(guó)內φ≠ ∑(nèi)都(dōu)火(huǒ)得(de)一(yī)塌糊塗。

從(cóng)目前來(lái)看(kàn)，MCU等領域已經成為(wèi)了(le)RISC-V率先的(de)發®$>力點。

以國(guó)內(nèi)通(tōng)訊接口芯片和(hé₩∑λ)全棧MCU芯片公司沁恒微(wēi)電(diàn)子(zǐ)為(wèi)例，據介​α紹，該公司的(de)RISC-V全系列全棧MCU已經實現(xiàn)了(le)內(nèi)₹→‌γ核和(hé)收發器(qì)完全自(zì)研且內(nèi)置，無需額外(wài)支付第三方內(•±nèi)核和(hé)USB PHY、以太網PHY等IP授權費(fèi♠↔γ")，可(kě)以給客戶帶來(lái)實質的(de✘​ε)超高(gāo)性價比産品。如(rú)提供集成USB、→φα以太網、藍(lán)牙接口的(de)全棧MCU+系列産品，在過去(qù)的π∏γ(de)一(yī)年(nián)中基于沁恒自(zì)研RISC-V架構微(wēi)處理(lǐ)器™↓÷(qì)青稞V4的(de)系列MCU得(de)到(∏γδπdào)了(le)衆多(duō)客戶的(de)大 ∑←(dà)批量應用(yòng)和(hé)好(hǎo)評，如(rú)CH32V103、γ★< CH32V307等。同時(shí)沁恒也(yě)持續提供ARM架構系列MCU，如(rú)CH32F←™ελ103、CH32F203/F205/F207/F208等。

除了(le)MCU外(wài)，RISC-V正在往更多(duō)的(de←α≤)領域擴張。據RISC-V International的<​✔‍(de)相(xiàng)關人(rén)士表示，全球的(de)RISC-V從(cóng)業(yè)≈♥者（尤其是(shì)中國(guó)大(dà)₹​®φ陸）正在推動RISC-V走向包括高(gāo)性能(néng)計(jì)算(suàn↔α)在內(nèi)的(de)多(duō)個(gè)領域。這(zhè)也(yě)就(j >€iù)是(shì)Semico Research預計(jì)到&∞(dào)2025年(nián)，市(shì)場(chǎng)≥✘将總共消費(fèi)624億個(gè)RISC-V CPU內(nèi)核，其中預λ↕計(jì)工(gōng)業(yè)領域将是(shì)大(dà)的(de)→'"≈細分(fēn)市(shì)場(chǎng)，擁有(yǒu)167億個(gè)內(nèi)核的(d§₹≤e)原因。Semico Research進一(yī)步指出，在包括計↓±(jì)算(suàn)機(jī)，消費(fèi)者，通(tōng)訊，運輸和(hé)工(gōngλλ)業(yè)市(shì)場(chǎng)在內(nèi)的(de)細分(fē☆≠ ♠n)市(shì)場(chǎng) ，RISC-V CPU內(nèi)核的(d↓∑e)複合年(nián)增長(cháng)率（C♥€§§AGR）在2018年(nián)至2025年(ni→↕án)之間(jiān)的(de)平均複合年(nián)增長(cháng)率将高(gāo)達146.∞ 2％。

進入2022年(nián)，考慮到(dào)國(guó)內(nèi)的(deγ✘)發展現(xiàn)狀，我們認為(wèi)本土(tǔ)的(de)RISC-★≈ βV産業(yè)會(huì)迎來(lái)新一(yī)輪增長(cháng)。

其次，再看(kàn)GPU方面，因為(wèi)人(rén)工(gōng)智能(nén±₹g)和(hé)元宇宙的(de)火(huǒ)熱(rè)，這>α∞§(zhè)個(gè)高(gāo)性能(néng)運 ✘₹算(suàn)的(de)核心正在全球掀起熱(r€±γ÷è)潮。其中，GPU龍頭英偉達的(de)股價逼近(jìn)萬億美(měi)元₹£ε，就(jiù)是(shì)其中的(de)一(yī)個(gè)佐證。來(lái)到(dào)國(gλ÷uó)內(nèi)，因為(wèi)其本身(shē≤π→n)的(de)産業(yè)供給和(hé)需求原因，本土(tǔ)包括璧←♥仭、沐曦、摩爾線程、天數(shù)智芯和(hé)登臨在內(nèi)的(de)$&一(yī)水(shuǐ)GPU廠(chǎng)商正在這(zhè ↓)個(gè)市(shì)場(chǎng)發力，從(cóng)他(tā)們多(duōλ↕Ω)家(jiā)企業(yè)的(de)公布看(kàn)來(☆λγ"lái)，當中不(bù)少(shǎo)企♥σ★業(yè)會(huì)在今年(nián)交出γ♥份成績單。

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對(duì)于國(guó)內(nèi)乃至全球的(de)電(diàn)子(zǐ)産業(yè) £σ∑來(lái)說(shuō)，上(shàng)述趨&€™勢隻是(shì)面向未來(lái)的(de)冰α&山(shān)一(yī)角。因為(wèi)我們正處于一(yī)個(gè)的(de)技(¶→jì)術(shù)大(dà)變革風(fēng)口。然而，對(duì)于從(cóng)業(yèε ∏×)者來(lái)說(shuō)，主要(yào)從(cóng)這(zhè)些(x₽☆₹iē)基本面出發，順勢而變，必然能(néng)在将來(lá ±i)占領一(yī)席之地(dì)。

讓我們從(cóng)2022年(nián)開(kāi)始，重新憧憬電(diàn)子(zǐ×€ε)産業(yè)的(de)新未來(lái)。